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公司介绍
公司介绍
发展历程
发展历程
点击链接了解详情:光迅发展历程长卷轴
1976年,邮电部固体器件研究所(光迅科技前身)成立。
1980年,长江激光电子有限公司(WTD前身)正式成立,是一家中外合资高新技术企业。
1982年,长江激光电子有限公司更名为武汉电信器件公司。
2001年,邮电部固体器件研究所转制成立武汉光迅科技有限责任公司。
2004年,经国务院国资委、商务部批准,武汉光迅科技有限责任公司完成股份制改造,整体变更为武汉光迅科技股份有限公司。同年,中方收购WTD美方全部股份,并更名为武汉电信器件有限公司。
2009年,光迅科技在深圳证券交易所挂牌上市,成为国内首家上市的光电子器件企业(股票代码:002281)。同年,光迅科技光电子产业园项目正式开工奠基。
2010年,光迅美国有限公司在美国加州硅谷成立,这是光迅科技在海外投资设立的第一家全资子公司。
2011年,历时两年的光迅光电子产业园一期建设项目顺利通过竣工验收,同年9月,公司整体搬迁工作圆满完成。
2012年12月,光迅科技和武汉电信器件有限公司(WTD)合并重组,掀开了光迅整合发展的新篇章。
2013年2月,光迅科技完成收购高端芯片厂商丹麦IPX(Ignis Photonyx A/S)公司,跨出了国际化并购第一步。
2014年9月,光迅科技非公开发行股票募集6.1亿元,投资于“宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目”;随后,公司光电子产业园建设项目二期工程工作小组成立,产业园二期工程策划全面启动。截至2016年底,项目主体工程已完成封顶,后续收尾工作正在有条不紊的推进。
2015年3月,光迅科技市值首破100亿元,根据世界电信产业权威第三方评测机构OVUM统计,市场份额进至全球第五,行业地位进一步提升、综合实力提档进位,向“全球前三”目标全力进军。
2016年,光迅科技坚持为股东创造价值,市值持续增长;行业地位稳步提高,据OVUM统计保持全球前五,综合实力稳中有进。
2017年,光迅科技市值首破200亿元,完成对美国子公司的境外增资,启动高端混合集成平台项目建设;牵头组建的国家信息光电子创新中心正式获批;与科大国盾量子技术股份有限公司合资成立国迅公司,打造中国“量子芯”。
2018年,光迅光电子产业园二期建设项目顺利通过竣工验收。
1976年,邮电部固体器件研究所(光迅科技前身)成立。
1980年,长江激光电子有限公司(WTD前身)正式成立,是一家中外合资高新技术企业。
1982年,长江激光电子有限公司更名为武汉电信器件公司。
2001年,邮电部固体器件研究所转制成立武汉光迅科技有限责任公司。
2004年,经国务院国资委、商务部批准,武汉光迅科技有限责任公司完成股份制改造,整体变更为武汉光迅科技股份有限公司。同年,中方收购WTD美方全部股份,并更名为武汉电信器件有限公司。
2009年,光迅科技在深圳证券交易所挂牌上市,成为国内首家上市的光电子器件企业(股票代码:002281)。同年,光迅科技光电子产业园项目正式开工奠基。
2010年,光迅美国有限公司在美国加州硅谷成立,这是光迅科技在海外投资设立的第一家全资子公司。
2011年,历时两年的光迅光电子产业园一期建设项目顺利通过竣工验收,同年9月,公司整体搬迁工作圆满完成。
2012年12月,光迅科技和武汉电信器件有限公司(WTD)合并重组,掀开了光迅整合发展的新篇章。
2013年2月,光迅科技完成收购高端芯片厂商丹麦IPX(Ignis Photonyx A/S)公司,跨出了国际化并购第一步。
2014年9月,光迅科技非公开发行股票募集6.1亿元,投资于“宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目”;随后,公司光电子产业园建设项目二期工程工作小组成立,产业园二期工程策划全面启动。截至2016年底,项目主体工程已完成封顶,后续收尾工作正在有条不紊的推进。
2015年3月,光迅科技市值首破100亿元,根据世界电信产业权威第三方评测机构OVUM统计,市场份额进至全球第五,行业地位进一步提升、综合实力提档进位,向“全球前三”目标全力进军。
2016年,光迅科技坚持为股东创造价值,市值持续增长;行业地位稳步提高,据OVUM统计保持全球前五,综合实力稳中有进。
2017年,光迅科技市值首破200亿元,完成对美国子公司的境外增资,启动高端混合集成平台项目建设;牵头组建的国家信息光电子创新中心正式获批;与科大国盾量子技术股份有限公司合资成立国迅公司,打造中国“量子芯”。
2018年,光迅光电子产业园二期建设项目顺利通过竣工验收。